全(quán)自動(dòng)晶圆(yuán)內(nèi)應(yìng)力檢測儀 SV-i

优勢

✔️ 基于(yú)双(shuāng)折射應(yìng)力測量(liàng)模型實(shí)现應(yìng)力定(dìng)量(liàng)測量(liàng)，輸出(chū)二(èr)維應(yìng)力和(hé)應(yìng)力方(fāng)向

✔️ 采用(yòng)双(shuāng)远心(xīn)檢測光(guāng)路(lù)，內(nèi)應(yìng)力測量(liàng)精度(dù)高(gāo)

✔️ 自動(dòng)微管(guǎn)缺陷掃描和(hé)計(jì)數，可(kě)以(yǐ)進(jìn)行顯微測量(liàng)

✔️ 适應(yìng)非(fēi)标(biāo)尺(chǐ)寸(cùn)晶圆(yuán)的(de)樣(yàng)品托盤，适應(yìng)不同規格晶圆(yuán)批量(liàng)測试

✔️ 配備150-225mm open_cassette晶圆(yuán)自動(dòng)传輸系(xì)統

适用(yòng)对(duì)象(xiàng)

150-225mm三(sān)代化(huà)合物(wù)晶圆(yuán)、石(dàn)英晶圆(yuán)、藍(lán)寶(bǎo)石(dàn)晶圆(yuán)等

适用(yòng)領域

面(miàn)向化(huà)合物(wù)晶圆(yuán)籽晶篩選、长(cháng)晶質(zhì)量(liàng)管(guǎn)控，晶圆(yuán)加工工藝管(guǎn)控、晶圆(yuán)成(chéng)品質(zhì)量(liàng)管(guǎn)控等晶圆(yuán)生(shēng)産过(guò)程

測量(liàng)原理(lǐ)

• 本系(xì)統基于(yú)偏振光(guāng)應(yìng)力双(shuāng)折射效應(yìng)檢測晶圆(yuán)材料內(nèi)部(bù)的(de)殘餘應(yìng)力分(fēn)布(bù)。
• 當晶體(tǐ)材料由于(yú)长(cháng)晶环(huán)境温(wēn)度(dù)梯(tī)度(dù)和(hé)晶體(tǐ)內(nèi)部(bù)缺陷導致(zhì)産生(shēng)晶體(tǐ)內(nèi)應(yìng)力时(shí)，晶體(tǐ)会(huì)呈现出(chū)應(yìng)力双(shuāng)折射效應(yìng)，偏振光(guāng)透过(guò)它(tā)时(shí)会(huì)發(fà)生(shēng)偏振态調制，通(tòng)过(guò)測量(liàng)透射光(guāng)的(de)斯托克(kè)斯矢量(liàng)可(kě)以(yǐ)推算出(chū)材料的(de)應(yìng)力延遲量(liàng)，從而測量(liàng)出(chū)材料內(nèi)應(yìng)力分(fēn)布(bù)。
• 獲取(qǔ)晶圆(yuán)內(nèi)應(yìng)力高(gāo)分(fēn)辨率图(tú)像，基于(yú)自動(dòng)识别深度(dù)學(xué)習模型可(kě)以(yǐ)开展(zhǎn)晶圆(yuán)內(nèi)部(bù)缺陷自動(dòng)识别和(hé)計(jì)數。

實(shí)測案(àn)例

內(nèi)應(yìng)力分(fēn)布(bù)

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全(quán)口(kǒu)徑應(yìng)力图(tú)及(jí)过(guò)圆(yuán)心(xīn)的(de)水平截面(miàn)線(xiàn)和(hé)垂直截面(miàn)線(xiàn)的(de)應(yìng)力分(fēn)布(bù)图(tú)

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 支持(chí)根(gēn)據(jù)需求使用(yòng)不同的(de)顔色(sè)条(tiáo)来(lái)顯示應(yìng)力分(fēn)布(bù)

查看(kàn)全(quán)口(kǒu)徑、內(nèi)縮口(kǒu)徑、截面(miàn)線(xiàn)等區(qū)域的(de)光(guāng)程差、應(yìng)力值等

微管(guǎn)掃描识别Mapping

微管(guǎn)缺陷的(de)Mapping图(tú)

與(yǔ)拼接图(tú)疊加後(hòu)的(de)融合图(tú)，可(kě)計(jì)算微管(guǎn)的(de)數量(liàng)和(hé)密度(dù)

SV200-i 技術(shù)規格

1. 內(nèi)應(yìng)力測量(liàng)指标(biāo)參數