半导體(tǐ)單晶双(shuāng)折射测量(liàng)儀 CSV-i
優勢
✔️ 基于(yú)双(shuāng)折射物(wù)理模型,直(zhí)接对(duì)樣(yàng)品內(nèi)應(yìng)力進(jìn)行定(dìng)量(liàng)测量(liàng),而(ér)非僅定(dìng)性(xìng)觀察。同(tóng)步輸出(chū)二(èr)維應(yìng)力分(fēn)布(bù)图(tú),直(zhí)觀呈現(xiàn)應(yìng)力大(dà)小與(yǔ)方(fāng)向(xiàng),为工藝改進(jìn)提(tí)供精确數據(jù)支撐。
✔️ 采用(yòng)自(zì)有(yǒu)專利的(de)双(shuāng)远心(xīn)测量(liàng)光路(lù),從光學(xué)根(gēn)源上(shàng)提(tí)升(shēng)了(le)系(xì)統的(de)橫向(xiàng)分(fēn)辨率。 實(shí)現(xiàn)了(le)亞纳米(mǐ)的(de)细(xì)节分(fēn)辨能(néng)力,使微小的(de)內(nèi)應(yìng)力變(biàn)化(huà)無處(chù)遁形,测量(liàng)精度顯著優于(yú)行業标準。
✔️ 樣(yàng)品托盤支持非标尺(chǐ)寸(cùn)晶圆(yuán)定(dìng)制化(huà)适配。完美(měi)滿足科研、第(dì)三(sān)代(dài)半导體(tǐ)及(jí)特(tè)殊器件(jiàn)制造中(zhōng),各(gè)種(zhǒng)規格晶圆(yuán)的(de)批量(liàng)、自(zì)动化(huà)测试需求,投資回(huí)報率更(gèng)高(gāo)。
适用(yòng)对(duì)象(xiàng)
适用(yòng)于(yú)SiC、GaAs、GaN、InP、Si、藍(lán)寶(bǎo)石(dàn)、玻璃等多(duō)種(zhǒng)半导體(tǐ)材質(zhì)
适用(yòng)領域
本(běn)系(xì)統深度賦能(néng)化(huà)合物(wù)半导體(tǐ)制造的(de)核心(xīn)环(huán)节,为籽晶、长(cháng)晶、加工、外(wài)延、成(chéng)品、四(sì)大(dà)關(guān)键階(jiē)段(duàn)提(tí)供精準的(de)數據(jù)支持和(hé)質(zhì)量(liàng)保障。
测量(liàng)原理
- 系(xì)統基于(yú)偏振光應(yìng)力双(shuāng)折射效應(yìng)檢测化(huà)合物(wù)半导體(tǐ)晶圆(yuán)內(nèi)部(bù)的(de)殘餘應(yìng)力分(fēn)布(bù)。
應(yìng)用(yòng)案(àn)例
碳化(huà)矽晶圆(yuán)內(nèi)應(yìng)力测试
砷化(huà)镓晶圆(yuán)內(nèi)應(yìng)力测试


磷化(huà)铟內(nèi)應(yìng)力测试案(àn)例


藍(lán)寶(bǎo)石(dàn)晶圆(yuán)內(nèi)應(yìng)力测试案(àn)例


地(dì)址:太仓市(shì)陸渡街(jiē)道(dào)富达(dá)路(lù)99号(hào)智彙谷(gǔ)園(yuán)區(qū)21号(hào)樓
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