碳化(huà)矽晶圆(yuán)應(yìng)力檢测設備介紹
SiC碳化(huà)矽是(shì)由(yóu)碳元(yuán)素和(hé)矽元(yuán)素組成(chéng)的(de)一(yī)種(zhǒng)化(huà)合物(wù)半导體(tǐ)材料，是(shì)制作(zuò)高(gāo)温(wēn)、高(gāo)頻、大(dà)功率、高(gāo)壓器件(jiàn)的(de)理想材料之(zhī)一(yī)。相比傳統的(de)矽材料(Si)，碳化(huà)矽(SiC)的(de)禁带(dài)宽(kuān)度是(shì)矽的(de)3倍；导热(rè)率为矽的(de)4-5倍；擊穿電(diàn)壓为矽的(de)8-10倍；電(diàn)子饱和(hé)漂移速率为矽的(de)2-3倍。
碳化(huà)矽外(wài)延片(piàn) 图(tú)攝于(yú)海(hǎi)乾半导體(tǐ)展(zhǎn)台(tái)
以(yǐ)碳化(huà)矽为原材料制成(chéng)的(de)器件(jiàn)稱为SiC器件(jiàn)，根(gēn)據(jù)電(diàn)學(xué)性(xìng)能(néng)差异(yì)分(fēn)成(chéng)半絕緣型碳化(huà)矽基射頻器件(jiàn)與(yǔ)导電(diàn)型碳化(huà)矽功率器件(jiàn)。半絕緣型碳化(huà)矽基射頻器件(jiàn)以(yǐ)半絕緣型碳化(huà)矽襯底經(jīng)过(guò)异(yì)質(zhì)外(wài)延制備而(ér)成(chéng)，主(zhǔ)要(yào)面(miàn)向(xiàng)通(tòng)信基站以(yǐ)及(jí)雷(léi)达(dá)應(yìng)用(yòng)的(de)功率放(fàng)大(dà)器。导電(diàn)型碳化(huà)矽功率器件(jiàn)主(zhǔ)要(yào)應(yìng)用(yòng)于(yú)電(diàn)动汽車/充電(diàn)樁、光伏新能(néng)源、軌道(dào)交通(tòng)等領域。
碳化(huà)矽産業鍊(liàn)包(bāo)含碳化(huà)矽粉末(mò)、碳化(huà)矽晶锭、碳化(huà)矽襯底、碳化(huà)矽外(wài)延、碳化(huà)矽晶圆(yuán)、碳化(huà)矽芯片(piàn)和(hé)碳化(huà)矽器件(jiàn)封(fēng)裝(zhuāng)环(huán)节。
其(qí)中(zhōng)襯底、外(wài)延片(piàn)、晶圆(yuán)、器件(jiàn)封(fēng)测是(shì)碳化(huà)矽價值鍊(liàn)中(zhōng)最(zuì)为關(guān)键的(de)四(sì)个(gè)环(huán)节，襯底成(chéng)本(běn)占到(dào)碳化(huà)矽器件(jiàn)總(zǒng)成(chéng)本(běn)的(de)50%，外(wài)延、晶圆(yuán)和(hé)封(fēng)裝(zhuāng)测试成(chéng)本(běn)分(fēn)别为25%、20%和(hé)5%。
SiC晶圆(yuán)內(nèi)應(yìng)力分(fēn)布(bù)實(shí)测案(àn)例
SiC晶圆(yuán)內(nèi)應(yìng)力及(jí)應(yìng)力角(jiǎo)分(fēn)布(bù)實(shí)测案(àn)例
碳化(huà)矽各(gè)环(huán)节的(de)缺陷会(huì)极(jí)大(dà)地(dì)影響最(zuì)終(zhōng)器件(jiàn)的(de)良率，这(zhè)是(shì)産業鍊(liàn)中(zhōng)非常重(zhòng)要(yào)的(de)話(huà)題(tí)，各(gè)襯底廠(chǎng)家(jiā)都在不(bù)遺餘力地(dì)降低(dī)碳化(huà)矽晶锭缺陷密度。
瑞霏光電(diàn)內(nèi)應(yìng)力檢测儀SV200
檢测原理
基于(yú)偏振光應(yìng)力双(shuāng)折射效應(yìng)檢测晶圆(yuán)材料內(nèi)部(bù)應(yìng)力分(fēn)布(bù)。當晶體(tǐ)材料由(yóu)于(yú)內(nèi)部(bù)缺陷存在應(yìng)力集中(zhōng)时(shí)会(huì)导致(zhì)應(yìng)力双(shuāng)折射效應(yìng)，偏振光透过(guò)它(tā)时(shí)会(huì)發(fà)生(shēng)偏振态調制，通(tòng)过(guò)测量(liàng)透射光的(de)斯托克(kè)斯矢量(liàng)可(kě)以(yǐ)推算出(chū)材料的(de)應(yìng)力延遲量(liàng)，從而(ér)得到(dào)材料內(nèi)應(yìng)力分(fēn)布(bù)。
優勢
1. 基于(yú)双(shuāng)折射應(yìng)力测量(liàng)模型實(shí)現(xiàn)應(yìng)力瞬时(shí)测量(liàng)，顯示應(yìng)力二(èr)維分(fēn)布(bù)僞彩图(tú)；采用(yòng)双(shuāng)远心(xīn)檢测光路(lù)，相位(wèi)延遲测量(liàng)精度高(gāo)；
2. 根(gēn)據(jù)不(bù)同(tóng)测量(liàng)視场(chǎng)要(yào)求，多(duō)種(zhǒng)鏡(jìng)头(tóu)可(kě)選；
3. 訂制化(huà)樣(yàng)品托盤，适應(yìng)不(bù)同(tóng)規格晶圆(yuán)批量(liàng)测试。
Strain Viewer技術(shù)規格
|
産品型号(hào) |
SV50 |
SV200 |
|
樣(yàng)品测量(liàng)口(kǒu)徑 |
2英寸(cùn)/ 60*80mm |
2-8英寸(cùn)兼容 200*300mm可(kě)訂制化(huà)樣(yàng)品载(zài)台(tái) |
|
應(yìng)力测量(liàng)輸出(chū)內(nèi)容 |
相位(wèi)延遲（°）及(jí)光學(xué)延遲（nm）歸一(yī)化(huà)延遲（nm/mm） |
相位(wèi)延遲（°）及(jí)光學(xué)延遲（nm）歸一(yī)化(huà)延遲（nm/mm） |
|
测量(liàng)光源 |
630nmLED光源可(kě)選配其(qí)它(tā)光源 |
630nmLED光源可(kě)選配其(qí)它(tā)光源 |
|
尺(chǐ)寸(cùn)量(liàng)测橫向(xiàng)分(fēn)辨率 |
40μm |
25μm |
|
應(yìng)力测量(liàng)範圍 |
0~155nm光學(xué)延遲 |
0~155nm光學(xué)延遲 |
|
方(fāng)位(wèi)角(jiǎo)测量(liàng)範圍 |
0-180 ° |
0-180 ° |
|
测量(liàng)重(zhòng)复性(xìng) |
0.5nm光學(xué)延遲，0.5 °方(fāng)位(wèi)角(jiǎo) |
0.5nm光學(xué)延遲，0.5 °方(fāng)位(wèi)角(jiǎo) |
|
测量(liàng)準确性(xìng) |
±1nm光學(xué)延遲，±1.5 °方(fāng)位(wèi)角(jiǎo) |
±1nm, ±1.5 °方(fāng)位(wèi)角(jiǎo) |
|
單次(cì)测量(liàng)时(shí)間(jiān) |
典型<2秒 |
典型<2秒 |
|
樣(yàng)品载(zài)台(tái) |
手(shǒu)动XY位(wèi)移台(tái) |
光栅尺(chǐ)反(fǎn)馈電(diàn)动XY位(wèi)移台(tái)（250*350mm）支持自(zì)动拼接 |
|
暗(àn)场(chǎng)缺陷檢测模块(kuài) |
/ |
選配 |
|
設備尺(chǐ)寸(cùn) |
桌(zhuō)面(miàn)式主(zhǔ)機(jī)：500mm* 500mm*800mm |
一(yī)體(tǐ)式機(jī)櫃：800* 900* 1800m可(kě)加裝(zhuāng)晶圆(yuán)自(zì)动傳片(piàn)系(xì)統 |
點(diǎn)擊图(tú)片(piàn)查看(kàn)詳细(xì)介紹
相關(guān)文(wén)章(zhāng)推薦
——
地(dì)址：太仓市(shì)陸渡街(jiē)道(dào)富达(dá)路(lù)99号(hào)智彙谷(gǔ)園(yuán)區(qū)21号(hào)樓
客服(fú)热(rè)線(xiàn)：400-069-8900
客服(fú)邮(yóu)箱(xiāng)：sales@zsjykj.cn
Copyright © 2023 蘇州瑞霏光電(diàn)科技有(yǒu)限公(gōng)司 All rights reserved 网(wǎng)站建設：中(zhōng)企动力 昆山(shān) SEO 營業執照
蘇公(gōng)网(wǎng)安備32058502811276号(hào)