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瑞霏光(guāng)電(diàn)內(nèi)應(yìng)力檢測儀——讓鏡(jìng)片(piàn)應(yìng)力檢測從“看(kàn)个(gè)大(dà)概”到(dào)“量(liàng)化(huà)精準”

針(zhēn)对(duì)近(jìn)視防控鏡(jìng)片(piàn)“應(yìng)力問(wèn)題(tí)”質(zhì)疑，SV系(xì)列不僅能(néng)“看(kàn)”到(dào)應(yìng)力，還(huán)能(néng)精準測出(chū)應(yìng)力值、分(fēn)布(bù)和(hé)方(fāng)向，讓争議變(biàn)成(chéng)可(kě)以(yǐ)用(yòng)數據(jù)解(jiě)釋的(de)事(shì)實(shí)。

發(fà)布(bù)时(shí)間(jiān)： 2025-10-13

碳化(huà)矽晶圆(yuán)應(yìng)力檢測設備介紹

SiC碳化(huà)矽是(shì)由碳元(yuán)素和(hé)矽元(yuán)素組成(chéng)的(de)一(yī)種(zhǒng)化(huà)合物(wù)半導體(tǐ)材料，是(shì)制作(zuò)高(gāo)温(wēn)、高(gāo)頻、大(dà)功率、高(gāo)壓器件(jiàn)的(de)理(lǐ)想(xiǎng)材料之(zhī)一(yī)。相比传統的(de)矽材料(Si)，碳化(huà)矽(SiC)的(de)禁带(dài)宽(kuān)度(dù)是(shì)矽的(de)3倍；導热(rè)率为矽的(de)4-5倍；擊穿電(diàn)壓为矽的(de)8-10倍；電(diàn)子飽和(hé)漂移速率为矽的(de)2-3倍。碳化(huà)矽外(wài)延片(piàn) 图(tú)攝于(yú)海(hǎi)乾半導體(tǐ)展(zhǎn)台(tái) 以(yǐ)碳化(huà)矽为原材料制成(chéng)的(de)器件(jiàn)称为SiC器件(jiàn)，根(gēn)據(jù)電(diàn)學(xué)性(xìng)能(néng)差异(yì)分(fēn)成(chéng)半絕緣型碳化(huà)矽基射頻器件(jiàn)與(yǔ)導電(diàn)型碳化(huà)矽功率器件(jiàn)。半絕緣型碳化(huà)矽基射頻器件(jiàn)以(yǐ)半絕緣型碳化(huà)矽襯底经过(guò)异(yì)質(zhì)外(wài)延制備而成(chéng)，主(zhǔ)要(yào)面(miàn)向通(tòng)信(xìn)基站以(yǐ)及(jí)雷(léi)达(dá)應(yìng)用(yòng)的(de)功率放(fàng)大(dà)器。導電(diàn)型碳化(huà)矽功率器件(jiàn)主(zhǔ)要(yào)應(yìng)用(yòng)于(yú)電(diàn)動(dòng)汽車/充電(diàn)樁、光(guāng)伏新(xīn)能(néng)源、軌道(dào)交通(tòng)等領域。碳化(huà)矽産業鍊(liàn)包(bāo)含碳化(huà)矽粉末(mò)、碳化(huà)矽晶錠、碳化(huà)矽襯底、碳化(huà)矽外(wài)延、碳化(huà)矽晶圆(yuán)、碳化(huà)矽芯片(piàn)和(hé)碳化(huà)矽器件(jiàn)封(fēng)裝(zhuāng)环(huán)节(jié)。其(qí)中(zhōng)襯底、外(wài)延片(piàn)、晶圆(yuán)、器件(jiàn)封(fēng)測是(shì)碳化(huà)矽價值鍊(liàn)中(zhōng)最(zuì)为關(guān)鍵的(de)四(sì)个(gè)环(huán)节(jié)，襯底成(chéng)本占到(dào)碳化(huà)矽器件(jiàn)總(zǒng)成(chéng)本的(de)50%，外(wài)延、晶圆(yuán)和(hé)封(fēng)裝(zhuāng)測试成(chéng)本分(fēn)别为25%、20%和(hé)5%。各(gè)生(shēng)産环(huán)节(jié)的(de)質(zhì)量(liàng)控制尤为重(zhòng)要(yào)，每个(gè)环(huán)节(jié)都有(yǒu)各(gè)自的(de)常见缺陷，碳化(huà)矽晶錠和(hé)襯底片(piàn)中(zhōng)均含有(yǒu)多(duō)種(zhǒng)晶體(tǐ)缺陷，如(rú)堆(duī)垛层(céng)錯、微管(guǎn)、貫穿螺型位(wèi)錯、貫穿刃型位(wèi)錯、基平面(miàn)位(wèi)錯等等。 SiC晶圆(yuán)內(nèi)應(yìng)力分(fēn)布(bù)實(shí)測案(àn)例此(cǐ)外(wài)，碳化(huà)矽還(huán)存在(zài)較大(dà)的(de)應(yìng)力，会(huì)導致(zhì)面(miàn)型參數出(chū)现問(wèn)題(tí)。化(huà)合物(wù)晶圆(yuán)襯底片(piàn)和(hé)外(wài)延片(piàn)中(zhōng)的(de)內(nèi)應(yìng)力会(huì)在(zài)後(hòu)續工藝中(zhōng)導致(zhì)晶圆(yuán)翹曲(qū)和(hé)破裂，同时(shí)內(nèi)應(yìng)力大(dà)小分(fēn)布(bù)也(yě)能(néng)直觀反(fǎn)映晶圆(yuán)位(wèi)錯缺陷程度(dù)。 SiC晶圆(yuán)內(nèi)應(yìng)力及(jí)應(yìng)力角(jiǎo)分(fēn)布(bù)實(shí)測案(àn)例碳化(huà)矽各(gè)环(huán)节(jié)的(de)缺陷会(huì)极(jí)大(dà)地(dì)影響最(zuì)終(zhōng)器件(jiàn)的(de)良率，这(zhè)是(shì)産業鍊(liàn)中(zhōng)非(fēi)常重(zhòng)要(yào)的(de)话題(tí)，各(gè)襯底廠(chǎng)家(jiā)都在(zài)不遗餘力地(dì)降低(dī)碳化(huà)矽晶錠缺陷密度(dù)。因(yīn)此(cǐ)，在(zài)碳化(huà)矽産品的(de)生(shēng)産制備过(guò)程中(zhōng)，檢測設備必不可(kě)少(shǎo)，并且(qiě)是(shì)提升(shēng)産品良率的(de)一(yī)種(zhǒng)手(shǒu)段(duàn)。瑞霏光(guāng)電(diàn)內(nèi)應(yìng)力檢測儀SV200可(kě)以(yǐ)开展(zhǎn)6/8寸(cùn)碳化(huà)矽襯底、外(wài)延片(piàn)的(de)高(gāo)分(fēn)辨率內(nèi)應(yìng)力分(fēn)布(bù)測量(liàng)，定(dìng)量(liàng)化(huà)輸出(chū)內(nèi)應(yìng)力數值，同时(shí)能(néng)夠开展(zhǎn)晶圆(yuán)微管(guǎn)缺陷的(de)自動(dòng)识别，可(kě)以(yǐ)广泛應(yìng)用(yòng)于(yú)化(huà)合物(wù)晶圆(yuán)材料生(shēng)长(cháng)、襯底和(hé)外(wài)延片(piàn)質(zhì)量(liàng)監測和(hé)工藝調整。瑞霏光(guāng)電(diàn)內(nèi)應(yìng)力檢測儀SV200 檢測原理(lǐ) 基于(yú)偏振光(guāng)應(yìng)力双(shuāng)折射效應(yìng)檢測晶圆(yuán)材料內(nèi)部(bù)應(yìng)力分(fēn)布(bù)。當晶體(tǐ)材料由于(yú)內(nèi)部(bù)缺陷存在(zài)應(yìng)力集中(zhōng)时(shí)会(huì)導致(zhì)應(yìng)力双(shuāng)折射效應(yìng)，偏振光(guāng)透过(guò)它(tā)时(shí)会(huì)發(fà)生(shēng)偏振态調制，通(tòng)过(guò)測量(liàng)透射光(guāng)的(de)斯托克(kè)斯矢量(liàng)可(kě)以(yǐ)推算出(chū)材料的(de)應(yìng)力延遲量(liàng)，從而得到(dào)材料內(nèi)應(yìng)力分(fēn)布(bù)。优勢 1. 基于(yú)双(shuāng)折射應(yìng)力測量(liàng)模型實(shí)现應(yìng)力瞬时(shí)測量(liàng)，顯示應(yìng)力二(èr)維分(fēn)布(bù)僞彩图(tú)；采用(yòng)双(shuāng)远心(xīn)檢測光(guāng)路(lù)，相位(wèi)延遲測量(liàng)精度(dù)高(gāo)； 2. 根(gēn)據(jù)不同測量(liàng)視场(chǎng)要(yào)求，多(duō)種(zhǒng)鏡(jìng)头(tóu)可(kě)選； 3. 訂制化(huà)樣(yàng)品托盤，适應(yìng)不同規格晶圆(yuán)批量(liàng)測试。 Strain Viewer技術(shù)規格産品型号(hào) SV50 SV200 樣(yàng)品測量(liàng)口(kǒu)徑 2英寸(cùn)/ 60*80mm 2-8英寸(cùn)兼容 200*300mm可(kě)訂制化(huà)樣(yàng)品载(zài)台(tái) 應(yìng)力測量(liàng)輸出(chū)內(nèi)容相位(wèi)延遲（°）及(jí)光(guāng)學(xué)延遲（nm）歸一(yī)化(huà)延遲（nm/mm）綜合應(yìng)力（MPa，Psi）及(jí)方(fāng)位(wèi)角(jiǎo) 相位(wèi)延遲（°）及(jí)光(guāng)學(xué)延遲（nm）歸一(yī)化(huà)延遲（nm/mm）綜合應(yìng)力（MPa，Psi）及(jí)方(fāng)位(wèi)角(jiǎo) 測量(liàng)光(guāng)源 630nmLED光(guāng)源可(kě)選配其(qí)它(tā)光(guāng)源 630nmLED光(guāng)源可(kě)選配其(qí)它(tā)光(guāng)源尺(chǐ)寸(cùn)量(liàng)測橫向分(fēn)辨率 40μm 25μm 應(yìng)力測量(liàng)范圍 0~155nm光(guāng)學(xué)延遲 0~155nm光(guāng)學(xué)延遲方(fāng)位(wèi)角(jiǎo)測量(liàng)范圍 0-180 ° 0-180 ° 測量(liàng)重(zhòng)複性(xìng) 0.5nm光(guāng)學(xué)延遲，0.5 °方(fāng)位(wèi)角(jiǎo) 0.5nm光(guāng)學(xué)延遲，0.5 °方(fāng)位(wèi)角(jiǎo) 測量(liàng)準确性(xìng) ±1nm光(guāng)學(xué)延遲，±1.5 °方(fāng)位(wèi)角(jiǎo) ±1nm, ±1.5 °方(fāng)位(wèi)角(jiǎo) 單次(cì)測量(liàng)时(shí)間(jiān) 典型<2秒(miǎo) 典型<2秒(miǎo) 樣(yàng)品载(zài)台(tái) 手(shǒu)動(dòng)XY位(wèi)移台(tái) 光(guāng)栅尺(chǐ)反(fǎn)饋電(diàn)動(dòng)XY位(wèi)移台(tái)（250*350mm）支持(chí)自動(dòng)拼接暗(àn)场(chǎng)缺陷檢測模块(kuài) / 選配設備尺(chǐ)寸(cùn) 桌(zhuō)面(miàn)式主(zhǔ)機(jī)：500mm* 500mm*800mm 一(yī)體(tǐ)式機(jī)櫃：800* 900* 1800m可(kě)加裝(zhuāng)晶圆(yuán)自動(dòng)传片(piàn)系(xì)統點(diǎn)擊图(tú)片(piàn)查看(kàn)詳细(xì)介紹

發(fà)布(bù)时(shí)間(jiān)： 2023-10-07

2020第(dì)二(èr)代光(guāng)學(xué)檢測産品問(wèn)世，從汽車電(diàn)子到(dào)3C及(jí)半導體(tǐ)形成(chéng)産品線(xiàn)

经过(guò)一(yī)年(nián)时(shí)間(jiān)的(de)集中(zhōng)研發(fà)，公司第(dì)二(èr)代自由曲(qū)面(miàn)三(sān)維檢測産品問(wèn)世，同时(shí)研發(fà)成(chéng)功了(le)白(bái)光(guāng)干(gàn)涉三(sān)維顯微鏡(jìng)、晶圆(yuán)翹曲(qū)應(yìng)力測量(liàng)儀和(hé)鏡(jìng)面(miàn)外(wài)觀自動(dòng)缺陷檢測儀等新(xīn)産品。日(rì)趨完善的(de)産品線(xiàn)，使得公司在(zài)聚焦車载(zài)顯示的(de)同时(shí)，在(zài)半導體(tǐ)材料、高(gāo)端顯示、集成(chéng)電(diàn)路(lù)封(fēng)裝(zhuāng)以(yǐ)及(jí)3C檢測燈(dēng)領域，具備战略布(bù)局(jú)能(néng)力。

發(fà)布(bù)时(shí)間(jiān)： 2020-08-22

2019第(dì)一(yī)代光(guāng)學(xué)檢測産品問(wèn)世，陸續獲得客戶訂單

先(xiān)後(hòu)签(qiān)約揚州、蘇州、福州等地(dì)多(duō)家(jiā)汽車HUD生(shēng)産廠(chǎng)商的(de)訂單，瑞霏光(guāng)電(diàn)在(zài)車载(zài)光(guāng)學(xué)自由曲(qū)面(miàn)檢測領域开始(shǐ)嶄露(lù)头(tóu)角(jiǎo)。

發(fà)布(bù)时(shí)間(jiān)： 2020-08-22

出(chū)席2019年(nián)首届車载(zài)擡头(tóu)顯示HUD高(gāo)峰(fēng)論壇發(fà)表(biǎo)主(zhǔ)題(tí)演講

第(dì)一(yī)届車载(zài)顯示HUD高(gāo)峰(fēng)論壇在(zài)上海(hǎi)市(shì)嘉定(dìng)區(qū)上海(hǎi)汽車城(chéng)瑞立酒(jiǔ)店(diàn)舉行。作(zuò)为一(yī)家(jiā)具有(yǒu)自主(zhǔ)知识産權，産品技術(shù)在(zài)業界處(chù)于(yú)領先(xiān)地(dì)位(wèi)的(de)三(sān)維光(guāng)電(diàn)檢測企業，公司在(zài)本次(cì)高(gāo)峰(fēng)論壇上作(zuò)了(le)題(tí)为“汽車HUD自由曲(qū)面(miàn)三(sān)維檢測技術(shù)方(fāng)案(àn)”的(de)主(zhǔ)題(tí)演講。

發(fà)布(bù)时(shí)間(jiān)： 2020-08-22